三星超前布局 AI半导体芯片垂直三维封装技术 降低成本22%

近日，韩媒报道了三星电子正在开发面向AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，并计划于2026年二季度实现量产。这项封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。

在概念图中，GPU（AI计算芯片）与LCC缓存通过垂直堆叠的方式形成一个整体，与HBM内存进行互联。在两者之间使用硅桥芯片来直接连接裸晶，而在铜RDL重布线层上引入了透明介质来代替价格更高的硅中介层。这种设计能够在不牺牲芯片性能的前提下降低22%的生产成本。

此外，三星电子还计划在其3.3D封装技术中引入面板级（PLP）封装。大型方形载板将取代面积有限的圆形晶圆，从而进一步提高封装生产效率。目前，由台积电主导的先进封装代工市场主要由无厂设计企业占据份额，因此三星电子希望通过推出新一代3.3D封装技术，在价格和生产效率上具有显著优势，以争取更多无厂设计企业的订单。

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成本可降低22%，三星介绍21D半导体封装技术

IT之家 11 月 9 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星为了加强和英特尔、台积电的竞争近日介绍了下一代（2.1D）半导体封装技术，可用于封装 AI 芯片等高性能半导体。

三星在 2.1D 封装中，用硅桥（Silicon Bridge）替代了硅中介板（Silicon Interposer），不需要覆盖整个半导体区域，只是用硅桥接了必要区域。

IT之家注：这种封装技术主要在重布线层（RDL）中插入硅桥（embedded・E），以封装包含 12 个 HBM 的半导体芯片为例，相比较硅中介板，可以在不降低性能的情况下，成本可降低 22%。

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