刘明院士：半导体存储器技术

主流存储器技术发展现状

半导体存储器可以简单分成易失性存储器和非易失性存储器，易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）为主，非易失存储器反而不断有新的技术出来。除了主流的电荷捕获（charge trap）存储器外，还有铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）。

铁电存储器与DRAM类似，是基于电荷存储机制，传统的铁电存储器由于存在微缩化的问题，仅仅在0.13 μm节点以上，在RFID、汽车电子等小众市场（niche market）上实现了产品化。

新型的非易失存储器PRAM、MRAM和RRAM主要通过器件电阻的变化来存储信息。

主流的存储器最重要市场份额有两大类：DRAM和NAND闪存。图1给出了其市场的分布，目前DRAM行业基本上被三星、海力士和美光三家垄断，大概占了全球市场的95%，NAND市场的垄断情况更为严重，三星、东芝/闪迪、美光、海力士几乎垄断了整个NAND市场，占了全球市场的99.2%。

图1 全球DRAM、 NAND的市场份额分配

从技术的角度来看，DRAM发展过程中研究者也做了很多其他尝试，例如尝试capacitor less DRAM，但遗憾的是都没有成功，目前DRAM依然是一个选通晶体管加一个Capacitor的结构。

在不断微缩的过程中，选通晶体管可以像逻辑工艺一样做，但Capacitor做起来非常难，所以DRAM现在到了1Xnm向1Ynm转变的过程遇到了非常大的挑战。

目前，大容量、高带宽、低功耗、低成本，是DRAM发展的一个趋势，可以考虑从模块封装的角度做一些工作。中国长期以来没有在存储器里做太多的投入，但目前已经有两家企业进入到装机和试产的阶段。一个是合肥睿力，直接切入1Xnm技术进入正面竞争；福建晋华主要面向niche market，这两家公司预计在2019年会有少量的产品出来。

NAND技术发展现状主要有两个方面：1） 2D NAND工艺已经迈入1z nm阶段，三星14 nm、东芝12 nm、SK 海力士13 nm、美光15nm已于2015年宣布量产；2）由于2D NAND 缩放受限，自2014年开始，3D NAND技术进入市场，目前Samsung和WD/Sandisk均已量产64层/512Gb的3D NAND，计划量产96层3D NAND。

中国过去几十年在存储器领域虽然没有太多的投入，但在近几年有大量的布局。国内近几年在整个IC制造业的投入是过去几十年里投入最大的，国家投入的企业福建晋华、合肥长鑫，而三星3D NAND的量产第一个是西安做的，目前第二期的建设也已经开始。国家在存储器领域投入最大的一笔资金是支持长江存储3D NAND的量产。

新型存储器技术发展现状

磁存储器（MRAM）

所有的新型存储器都是从凝聚态物理基础研究演变而来。MRAM（magnetic random access memory）最早是由巨磁阻效应发展而来，磁科学家研究发现可以在很薄的一个磁性隧道结里展现出磁阻效应，并且在很小的磁场下会有一个巨大的电阻变化。基本原理如图示：这是一个固定层，自旋方向是固定的，中间是遂穿层，如果自由层的自旋方向与固定层一致，整个隧道结磁阻就比较小，反之磁阻就大，外加电场撤掉后，状态依然维持，所以可以用于非易失存储。磁存储器有其他存储器无法抗衡的优点，疲劳特性好、速度快，当然也存在一些问题，例如传统的MRAM需要一个特别大的磁场。由磁场驱动转向更高性能的电流驱动（STT-MRAM），临界电流密度和功耗仍需进一步降低，电控磁化反转是目前研究热点。目前全球工业界给予MRAM很多关注，美国、欧洲、日本和韩国等政府及公司巨资投入开发，并依靠工艺突破保持技术领先，包括IBM、Seagate、 WD、Headway、TDK、Toshiba、Samsung、Honeywell、Sony、Toshiba等公司。

相变存储器（PRAM）

相变存储器（phase-change random access memo，PRAM），是一种新兴的非易失性存储器技术。相变存储材料在加热的情况下可以在晶态和非晶态之间转变，实现在高阻态和低阻态的可逆转变，工业界对该项技术也投入了很大的力量，但非常遗憾，在平面的独立式存储上没有获得成功。2015年Intel和美光推出的3D Xpoint技术，为PRAM的量产带来了新的生机，被誉为20年来存储器领域革命性的新技术，揭开了存储器层次架构演变的新篇章，对于计算机系统的重构与优化具有深远的影响。与DRAM相比，3D X-point不需要刷新，另外DRAM的读取过程是破坏性的，电荷会丢失，在读操作后需要重新写入数据，但3D X-point不需要，虽然速度慢一些，但比NAND快很多，同时它的密度又比DRAM大，几乎可以与NAND相抗衡。

遗憾的是，3D X-point采用是平面堆叠的方式，不像3D NAND的垂直堆叠架构，与之带来的就是高成本，这也是3D X-point技术进一步发展的局限性。另外，相变材料基本的原理，就是要在热的作用下发生晶态和非晶态的转变，所以它对温度非常敏感，在高温环境中的可靠性问题是一个挑战。

阻变式存储器（RRAM）

有关阻变式存储器（resistive random access memory，RRAM）的第一篇论文也很早，JAP上有一篇文章是关于所谓电阻效应的工作，但并没有引起多少关注，因为跟巨磁阻效应相比，它的物理重要性并没有那么大。但在2000年的时候，休斯公司把一个专利卖给了夏普公司，由此引发RRAM研究热潮，随后学术界和工业界都在这方面开展了广泛的研究工作，RRAM技术得到了快速发展。

目前RRAM作为嵌入式存储器已经在一些领域得到应用，特别是到22 nm节点以后，eFlash在嵌入式应用面临挑战，基于后段工艺集成的新型存储器RRAM、MRAM将成为嵌入式存储的主要技术方案。台积电2017年就宣布，2019年开始在嵌入式应用里，RRAM和MRAM都将试产。

目前来看，这两个技术（MRAM、RRAM）在嵌入式应用里的相对来说更有可能进入量产。新型存储器现在可能还找不到能够像当年的3D NAND或NAND的应用场景，但的确他们有各自的优势和劣势找到自己的应用。

非易失存储器发展趋势

图2 非易失存储器基本存储器单元和集成架构的发展趋势

传统的闪存技术获得巨大成功，但随着器件尺寸的不断缩小，遂穿层厚度难以同步减小。如图2所示，未来非易失存储器有以下两种不同的技术发展路线：

1）将导电的多晶硅存储层换成分布式的存储介质，这样可以降低对阻挡层厚度的要求，能够把电子禁锢在存储层里，这种技术叫电荷俘获存储。

2）抛弃原有结构，采用两端器件作为基本存储单元。

而在集成架构方面，独立式存储如果无法实现三维集成，集成密度将无法提升。电荷俘获存储器是3D NAND的基础器件，实现了三维集成。同样的道理，新型存储器如何无法实现三维集成将很难在独立市场上得到应用，三维集成是高密度存储器发展的主要方向。

中国科学院微电子研究所相关存储器工作

电荷俘获存储器

1）从能带工程出发，引入新材料/结构，综合优化CTM隧穿层/俘获层/阻挡层，实现低压、高速、长数据保持和多值存储。包括采用Al2O3等优化阻挡层；TiW等金属纳米晶、Au-Al2O3核壳纳米晶、纳米石墨烯等作为电荷俘获材料，并结合ZrO2、HfO2、HfAlO、HAH等优化高k介质俘获层；SiO2/HfO2等优化高k介质隧穿层。

2）在实验室工作的基础上，2008年开始与产业界合作研发纳米晶闪存，在生产平台上首次完成纳米晶存储器系统研究；获得自主产权纳米晶存储技术整体解决方案，解决了纳米晶存储材料分布均匀、存储器物理模型仿真、集成工艺、可靠性及芯片集成等技术难题；完成了单管结构（1T）、分裂栅结构（1.5T）、存储管+选择管结构（2T）三款存储器件IP研发（图3）。

图3 三款存储器件示意图

3）与中芯国际合作研制大容量闪存芯片，突破了设计的关键技术瓶颈，掌握了核心设计技术, 完成了128Mb和1Gb两款芯片的设计、流片和验证。与SMIC一起完善了闪存芯片的设计规则，并帮助优化了SMIC的65纳米浮栅闪存关键工艺开发与可靠性。在闪存芯片设计与制造技术开发的基础上，后续与国内的设计公司联合进行闪存产品设计。4）合作开发3D-NAND技术。2014年10月，中国科学院微电子研究所与武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武芯）签署了“关于先进存储器合作开发协议”，双方共同组建了“中科新芯三维存储器研发中心”。在前期中国科学院微电子研究所派出20名成员的团队双跨到武芯，作为核心成员直接参与3D-NAND技术研发。中国科学院微电子所在存储器领域许可的相关专利和技术是武芯存储器产品自主研发的初始来源和主要基础，这是国内高端集成电路产品研发首次采用自主技术。

RRAM研发

课题组在阻变存储器（RRAM）研究工作基本与国际同步，选择了氧化钽和氧化铪这两种主要的阻变材料。研究初期发现很多材料都可以展现出阻变的特性，但基础的原理并不容易被阐明，有一些自相矛盾的现象。课题组采用一些新型的表征手段进行了系统的研究，例如电学的表征、原位TEM、热分析统计、第一性原理计算等。

在深入研究阻变机理的基础上，器件性能改善也是非常重要的方面，课题组进行了系列研究工作，包括掺杂改性、局域电场增强、双层结构设计、界面调控、编程方法优化等。

因为RRAM是一个两端器件，两端器件如何实现集成也是一个关键问题，课题组先后实现了1kb到64Mb的原型芯片、自选通RRAM器件、三维垂直RRAM阵列等。

2015年开始将平面集成工作推进到RRAM产业化应用上，与中芯国际合作，在工艺线上实现了1Mb 28nm RRAM 芯片。后续与国家电网合作研发搭载RRAM新一代电力芯片，中国科学院微电子研究所负责RRAM原型技术（包括材料、结构、集成方案、IP设计等）SMIC负责工艺开发、良率控制；国家电网（智芯）负责定义规格需求、开发系统应用。

与此同时，课题组进一步探讨了阻变存储器三维集成，并成为国际上该领域最好的研究小组之一，2015、2017年在中国科学院微电子研究所工艺线上分别实现了RRAM四层和八层垂直三维集成工艺。

表1 3D V-RRAM、3D Xpoint及3D NAND的技术对比

表1列出了3D V-RRAM、3D Xpoint及3D NAND的技术对比。相比于Intel的3D X-point技术与主流的3D NAND技术，3D V-RRAM在读写延迟、功耗、耐久性和可微缩性等方面具有明显的优势。

与此同时，课题组也开展神经网络硬件架构设计的研究工作，从忆阻仿生器件及其集成、仿生神经元电路设计到存算一体神经网络架构设计，实现了器件、电路、架构三个层面逐层推进、协同设计，完成了从系统设计到物理实现的完整流程。工作也得到了华为公司的支持，设立了新型忆阻器计算阵列技术研究项目。

在解决实际应用方面，针对商业卫星主控FPGA开发出MCP存储芯片，具有以下有点：大容量（256Mb）、低成本、抗空间辐射（单粒子效应）；支持商业卫星功能（FPGA程序）实时在轨升级；支持FPGA主机程序多版本切换，可对在轨卫星功能模式进行灵活切换。成功开发出3.3V 64Mb和1.8V 128Mb两款军品Flash，并通过JB597B检验，已经成功实现销售。

结 论

存储器应用广泛，市场非常庞大，是国家战略性高技术产业。新的存储技术层出不穷，在新型存储器研究方面，国内的基础研究走在了前列，也希望基础研究的优势能够转化成未来产业发展的优势，抓住存储器技术发展多元化的新机遇及国家大力发展存储器产业的契机，实现突破。兼顾自主创新和国际合作，两者要有一个共赢的模式；同时在产业发展的新形势下更要注重原始创新；鼓励原始创新/技术突破，开展共性基础研究为产业自主发展奠定基础。中国最大的优势就是市场需求，面向中国市场需求是创新跨越的新机遇，实现存储器技术的跨越式发展。（责任编辑 刘志远）

作者简介： 刘明，中国科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员，长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器机理模型、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统的创造性贡献。

注： 本文将在近期《科技导报》发表，敬请关注。

关于半导体存储的最强入门科普

上周，我给大家仔细介绍了HDD硬盘、软盘和光盘的发展史（链接）。

大家应该都注意到了，在我们的日常生活中，其实远远不止上面三种存储介质。

我们经常使用的U盘、TF卡、SD卡，还有电脑上使用的DDR内存、SSD硬盘，都属于另外一种存储技术。

这种技术，我们称之为“半导体存储” 。

今天，小枣君就重点给大家讲讲这方面的知识。

█ 半导体存储的分类

现代存储技术，概括来看，就分为三大部分，分别是磁性存储、光学存储以及半导体存储。

半导体存储器，简而言之，就是以“半导体集成电路” 作为存储媒介的存储器。

大家如果拆开自己的U盘或SSD硬盘，就会发现里面都是PCB电路板，以及各自各样的芯片及元器件。其中有一类芯片，就是专门存储数据的，有时候也称“存储芯片”。

SSD硬盘的构造

相比传统磁盘（例如HDD硬盘），半导体存储器的重量更轻，体积更小，读写速度更快。当然了，价格也更贵。

这些年，整个社会对芯片半导体行业的关注度很高。但是，大家主要关注的其实是CPU、GPU、手机SoC等计算类芯片。

殊不知，半导体存储器也是整个半导体产业的核心支柱之一。2021年，全球半导体存储器的市场规模为1538亿美元，占整个集成电路市场规模的33%，也就是三分之一。

2022年全球半导体主要品类占比情况 存储器有所下降，但仍有26%

半导体存储器也是一个大类，它还可以进一步划分，主要分为：易失性（VM）存储器 与非易失性（NVM）存储器 。

顾名思义，电路断电后，易失性存储器无法保留数据，非易失性存储器可以保留数据。

这个其实比较好理解。学过计算机基础知识的童鞋应该还记得，存储分为内存 和外存 。

计算机通电后，内存配合CPU等进行工作。断电后，内存数据就没有了，属于易失性（VM）存储器。

而外存呢，也就是硬盘，存放了大量的数据文件。当计算机关机后，只要你执行了保存（写入）操作，数据就会继续存在，属于非易失性（NVM）存储器。

请大家注意：现在很多资料也将半导体存储器分为随机存取存储器（RAM） 和只读存储器（ROM） ，大家应该很耳熟吧？

ROM只读存储器：很好理解，可以读取，不可以写入。

RAM随机存取存储器：指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”，这是相对传统磁存储必须“顺序存取（Sequential Access）”而言的。

有些人认为，易失性存储器就是RAM，非易失性存储器就是ROM。其实，这是不严谨的，原因待会会讲。

█ 易失性存储器（VM）

在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM（动态随机存取存储器，Dynamic RAM）和SRAM（静态随机存取存储器，Static RAM）。

DRAM

DRAM由许多重复的位元格（Bit Cell）组成，每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成（又称1T1C结构）。电容中存储电荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。

图片来源：Lam Research

由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性“动态”充电，保持电势。否则，就会丢失数据。

因此，DRAM才被称为“动态”随机存储器。

DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是DRAM的一种。（DDR基本是指DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。）

值得一提的是，显存这边，除了GDDR之外，还有一种新型显存，叫做HBM （High Bandwidth Memory）。它是将很多DDR芯片堆叠后，与GPU封装在一起构成的（外观上看不到显存颗粒了）。

SRAM

SRAM大家可能比较陌生。其实，它就是我们CPU缓存所使用的技术。

SRAM的架构，比DRAM复杂很多。

SRAM的基本单元，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器，2个场效应管（M5, M6）用于读写的位线（Bit Line）的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器（触发器），并在通电时锁住二进制数0和1。

因此，SRAM被称为“静态随机存储器”。

SRAM存储单元

SRAM不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。

所以，它主要用于CPU的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在FPGA内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。

█ 非易失性存储器（NVM）

接下来，再看看非易失性存储器产品。

非易失性存储器产品的技术路线，就比较多了。最早期的，就是前面所说的ROM。

最老式的ROM，那是“真正”的ROM ——完全只读，出厂的时候，存储内容就已经写死了，无法做任何修改。

这种ROM，灵活性很差，万一有内容写错了，也没办法纠正，只能废弃。

掩模型只读存储器（MASK ROM），就是上面这种ROM的代表。说白了，就是直接用掩膜工艺，把信息“刻”进存储器里面，让用户无法更改，适合早期的批量生产。

后来，专家们发明了PROM （Programmable ROM，可编程ROM）。这种ROM一般只可以编程一次。出厂时，所有存储单元皆为1。通过专用的设备，以电流或光照（紫外线）的方式，熔断熔丝，可以达到改写数据的效果。

PROM的灵活性，比ROM更高一些，但还是不够。最好是能够对数据进行修改，于是，就有专家发明了EPROM （Erasable Programmable，可擦除可编程ROM）。

擦除的方式，可以是光，也可以是电。电更方便一点，采用电进行擦除的，就叫做EEPROM（电可擦除可编程EEPROM）。

EEPROM可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写0或者1，就是按“bit”读写，不必将内容全部擦除后再写。它的擦除操作，也是以“bit”为单位，速度还是太慢了。

上世纪80年代，日本东芝的技术专家——舛冈富士雄 ，发明了一种全新的、能够快速进行擦除操作的存储器，也就是——Flash（闪存）。

舛冈富士雄

Flash在英文里，就是“快速地”的意思。

限于篇幅，FLASH的具体原理我们下次再专门介绍。我们只需要知道，Flash存储是以“块”为单位进行擦除的。

常见的块大小为128KB和256KB。1KB是1024个bit，比起EEPROM按bit擦除，快了几个数量级。

目前，FLASH的主流代表产品也只有两个，即：NOR Flash 和NAND Flash 。

NOR Flash

NOR Flash属于代码型闪存芯片，其主要特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而是可以直接在Flash闪存内运行。

所以，NOR Flash适合用来存储代码及部分数据，可靠性高、读取速度快，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。

但是，NOR Flash的写入和擦除速度很慢，而且体积是NAND Flash的两倍，所以用途受到了很多限制，市场占比比较低。

早期的时候，NOR Flash还会用在高端手机上，但是后来，智能机开始引入eMMC后，连这块市场也被排挤了。

近年来，NOR Flash的应用有所回升，市场回暖。低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控和指纹、可穿戴设备、汽车电子和工业控制等领域，使用NOR Flash比较多。

NAND Flash

相比之下，NAND Flash的市场占比就大了很多。

NAND Flash属于数据型闪存芯片，可以实现大容量存储。

它以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。

前面提到了eMMC。前几年，这个词还是挺火的。

eMMC

eMMC即嵌入式多媒体卡（embedded Multi Media Card），它把MMC（多媒体卡）接口、NAND及主控制器都封装在一个小型的BGA芯片中，主要是为了解决NAND品牌差异兼容性等问题，方便厂商快速简化地推出新产品。

而eMCP，是把eMMC与LPDDR封装为一体，进一步减小模块体积，简化电路连接设计。

2011年，UFS（Universal Flash Storage，通用闪存存储）1.0标准诞生。后来，UFS逐渐取代了eMMC，成为智能手机的主流存储方案。当然了，UFS也是基于NAND FLASH的。

这些年主流手机的标配

SSD，大家应该很熟悉了。它基本上都是采用NAND芯片的，目前发展非常迅猛。

SSD内部构造

根据内部电子单元密度的差异，NAND又可以分为SLC（单层存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元、QLC（四层存储单元），依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位、4位。

由SLC到QLC，存储密度逐步提升，单位比特成本也会随之降低。但相对的，性能、功耗、可靠性与P/E循环（擦写循环次数，即寿命）会下降。

这几年，DIY装机圈围绕SLC/MLC/TLC/QLC的争议比较大。一开始，网友们觉得SSD硬盘的寿命会缩水。后来发现，好像缩水也没那么严重，寿命仍然够用。所以，也就慢慢接受了。

早期的NAND，都是2D NAND。工艺制程进入16nm后，2D NAND的成本急剧上升，平面微缩工艺的难度和成本难以承受。于是，3D NAND出现了。

图片来源：electronics-lab

简单来说，就是从平房到楼房，利用立体堆叠，提升存储器容量，减小2D NAND的工艺压力。

2012 年，三星推出了第一代3D NAND闪存芯片。后来，3D NAND技术不断发展，堆叠层数不断提升，容量也越来越大。

█ 新型存储器（非易失性）

2021年，美国IBM提出“存储级内存”（SCM, Storage-Class Memory）的概念。IBM认为，SCM能够取代传统硬盘，并对DRAM起到补充作用。

SCM的背后，其实是行业对新型存储器（介质） 的探索。

按行业的共识，新型存储器可以结合了DRAM内存的高速存取，以及NAND闪存在关闭电源之后保留数据的特性，打破内存和闪存的界限，使其合二为一，实现更低的功耗，更长的寿命，更快的速度。

目前，新型存储器主要有这么几种：相变存储器（PCM），阻变存储器（ReRAM/RRAM），铁电存储器（FeRAM/FRAM），磁性存储器（MRAM，第二代为STT-RAM），碳纳米管存储器。

限于篇幅（主要是我也没看懂，太难了），今天就不逐一介绍了。等将来我研究清楚后，再写专题文章。

█ 结语

汇总一下，小枣君画了一个完整的半导体存储分类图：

上面这个图里，存储器类型很多。但我前面也说了，大家重点看DRAM、NAND Flash和NOR Flash就可以了。因为，在现在的市场上，这三种存储器占了96%以上的市场份额。

其实，所有的存储器，都会基于自己的特性，在市场中找到自己的位置，发挥自己的价值。

一般来说，性能越强的存储器，价格就越贵，会越离计算芯片（CPU/GPU等）越近。性能弱的存储器，可以承担一些对存储时延要求低，写入速度不敏感的需求，降低成本。

计算机系统中的典型存储器层次结构 图片来源：果壳硬科技

半导体存储技术演进的过程，其实一直都受益于摩尔定律 ，在不断提升性能的同时，降低成本。今后，随着摩尔定律逐渐失效，半导体存储技术将会走向何方，新型存储介质能够崛起？让我们拭目以待。

下一期文章，小枣君将站在历史的角度，详细介绍一下半导体存储的技术演进历程，以及行业格局的风雨变幻。

欢迎大家继续关注！谢谢！

参考文献：

1、《数据存力白皮书》，华为、罗兰贝格；

2、《中国存力白皮书》，2022算力大会；

3、《计算机存储历史》，中国存储网

4、《硬盘发展简史》，SunnyZhang的I世界；

5、《存储技术发展历程》，谢长生；

6、《存储介质发展史》，B站，阴冷未遂；

7、《下一代数据存储技术研究报告》，信通院；

8、《存储芯片行业研究报告》，国信证券；

9、《国产存储等待一场革命》，付斌，果壳；

10、《关于半导体存储，没有比这篇更全的了》，芯师爷

11、《科技简章035-半导体存储之闪存》，悟弥津，知乎

12、维基百科相关词条。

相关问答

常用半导体存储器有哪几类?各有什么特点?_作业帮

[最佳回答]ROM、EPROM、SRAM、DRAM...分类、特点,微机原理的书上,写的很清楚.楼主找本书看看,即可.

半导体存储器有哪些有易失性?

易失性存储器易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、显示器显存等。易失性存储器-RAM易失性存储器主要是指随机访问...

半导体存储器分类?

半导体存储器是一种利用半导体器件进行数据存储的设备,根据不同的分类标准,它可以分为以下几类:1.易失性存储器(VolatileMemory):这种存储器在断电...半导...

什么叫ssd半导体存储?

SSD(固态硬盘)是一种使用半导体存储器芯片作为数据存储介质的存储设备。与传统的机械硬盘相比,SSD具有更快的数据读写速度、更低的能耗和更高的可靠性。它采...

电磁存储和半导体存储区别?

电磁存储和半导体存储是两种不同的存储技术,它们在工作原理、结构和特点上有所不同。电磁存储:电磁存储是一种传统的存储技术,常见的代表是磁带和硬盘等。...

请描述构成内存器的半导体存储器?

1、随机存储器,对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵...

cache用啥半导体?

cache主要由SRAM半导体芯片组成。Cache存储器,又称之为高速缓冲存储器,是位于CPU和主存储器DRAM(DynamicRandomAccessMemory)之间,规模较小,但速度很高...

硬盘不是半导体存储器吧?

是半导体存储器。硬盘是计算机最主要的存储设备。硬盘是由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。这些碟片外覆盖有铁磁性材料。用半导体集成电路工艺制成...

内存一般采用半导体存储单位包括?

内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。随机存取存储器也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器...内存...

存储器可分为哪两种?_住范儿家装官网

储存器分类:按存储介质:半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。按存储方式:随机存储器:任何存储单元...