半导体技术缺陷分析检测设备专题报告：半导体缺陷检测，谁会成为中国的科磊

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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检测设备专题报告：半导体缺陷检测，谁会成为中国的科磊

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本篇报告着重梳理半导体缺陷检测设备市场格局、重点企业等。

1. 前道检测设备 vs 测量设备 vs 后道测试设备

1.1. 半导体检测设备的环节位置

检测在集成电路的硅片、生产制造和封测领域均有广泛的应用，具体来看硅片环节的颗粒、划痕检测等；生产制造过程中的缺陷检测&复查等；封测环节的残留、沾污等等。

半导体行业从工艺制程上来分，分为前道（晶圆生产），中道（晶圆制造），后道（晶圆封装测试）。检测设备贯穿其中。前道和后道的较少，中道检测较多。

前道工艺晶圆生产，工艺分为切，磨，抛。

抛光之后检测。中道工艺晶圆制造，检测项目较多，工艺环节几乎完全遍历。

后道工艺封装测试，检测项目较少。

1.2.2020 年检测全球约 43 亿美元，国内约 11 亿美元

2018 年全球半导体设备销售创下历史新高，根据今年 4 月国际半导体产业协会（SEMI）发布的报告信息，2018 年全球半导体制造设备销售总金额达 645 亿美元，较 2017 年 566.2 亿美元同比增长 14。同时中国大陆首度跃升为第二大设备市场，同比增长 59%达到 131.1 亿美元。

但至 2019 年半导体设备市场迎来负增长，根据 SEMI 数据，2019 年一、二季度全球半导体设备销售额分别为 137.9 亿、133.1 亿美元，二季度同比下滑 20%、环比下滑 3%。在此情况下，SEMI 年中设备预测报告指出，2019 年全球销售额将从去年高点的 645 亿美元降至 527 亿美元，降幅达到 18.4%，而中国台湾将逆市增长 21%达到123.1 亿美元，超越韩国成为全球之最。

2020 年，SEMI 预测全球半导体设备市场有望在 memory 支出和中国大陆新的项目推动下恢复增长，增幅 11.6%达到 588 亿美元，其中中国大陆市场将增长 24达到145 亿美元，超越韩国成为全球最大的半导体设备市场。

根据 SEMI 数据，2018 年半导体检测&量测设备约占半导体设备投资总额的 11，我们在此基础上对我国半导体检量测设备市场空间进行测算，则预计 2020 年全球检测&测量市场空间约为 64.7 亿美元、中国大陆该市场规模约为 16 亿美元。同时我们判断，在检测&量测设备中，缺陷检测与量测部分占比分别约为 2/3、1/3，则相应2020 年全球半导体缺陷检测、量测设备的市场规模约为 43.1、21.6 亿美元，国内两者分别为 10.7、5.3 亿美元。

2. 国内企业自主研发与并购并举，立志解决卡脖子环节

目前从整体上看，国内半导体设备企业技术与国外顶级公司差距较大、且在多处核心环节上短期突破的难度较大，但我国半导体产业发展快速，国家大基金也在不断投入相关企业进行布局，进口替代势在必行。国内企业目前实行自主研发与并购并举的方式进行布局，在相当细分领域已取得较大进展，具体到检测设备环节，国内重点布局企业有赛腾股份、上海睿励/中微公司、中科飞测 等。

2.1. 赛腾股份——收购日企 Optima 切入晶圆缺陷检测设备

2019 年 10 月赛腾股份以现金方式购买 Kemet Japan 株式会社持有的日本 Optima 株式会社 67.53%股权，股权收购价款 270,105.99 万日元（约合人民币 16395 万元），并拟对 Optima 株式会社进行增资,增资金额 120,000 万日元（约合人民币 7284 万元）,总计投资金额 390,105.99 万日元（折合人民币约 23679 万元），在增资、转让（转让 1%股份给亚洲日升，后者为公司提供交易相关咨询服务并协助公司完成谈判、交割等工作）后公司将持有 Optima 约 74.25股权。

Optima 株式会社主要从事半导体晶圆检查设备和曝光设备的开发、制造、销售以及服务业务，与公司同属于自动化设备研发制造行业，能够与公司实现产业协同，拓宽公司智能制造产品链，并将公司产品线向高端半导体检测设备领域进一步延伸，提高公司技术含量和客户储备。

2.2 上海睿励/中微公司——中微拟入股睿励，强强联合

睿励科学仪器于 2005 年成立，致力于研发、生产和销售具有自主知识产权的集成电路生产制造工艺装备产业中的工艺检测设备，是国内领先的集成电路工艺检测设备供应商。

2019 年 8 月 22 日，中微公司公告基于经营战略发展考虑，拟对睿励科学仪器投资 1375 万元，本次投资完成后，中微公司将持股 10.41%。根据中微公司公告，上海睿励自主研发的 12 英寸光学测量设备 TFX3000 系列产品，已应用在 28 纳米芯片生产线并在进行 14 纳米工艺验证，在 3D 存储芯片上达到 64 层的检测能力；产品目前已成功进入世界领先芯片客户 3D 闪存芯片生产线，并取得 7 台次重复订单，是目前进入该国际领先芯片生产企业唯一的国产集成电路设备产品。上海睿励的产品还进入国内多家领先芯片生产企业生产线，其产品和技术能力已获得业界的认可。此外，上海睿励应用于 LED 蓝宝石衬底图形检测的自动光学检测设备，也已成功进入众多客户国内 LED 外延芯片生产线。

上海睿励其实与中微公司的关系比较紧密，二者第一大股东都是上海创业投资有限公司，同时在人事方面也有不少交集，如双方公司都有的董事沈伟国、朱民等。

2.3. 中科飞测——背靠中科院，强势崛起，已进入国内大厂

深圳中科飞测与中科院微电子研究所深入合作、自主研发智能检测设备，检测技术在行业处于国际前沿地位，检测设备在高端市场实现设备的国产化。

2017 年中科飞测通过国家高新技术企业认定；公司牵头的科研项目，获得国家科技部重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项立项；公司联合中国工程院刘文清院士组建成立深圳中科飞测科技有限公司院士工作站；2017 年中科飞测获得微电子所投资企业显著产业化进展奖，项目名称：中科飞测出货量成倍增长，全面进入先进封测市场。

中科飞测自主研发针对生产质量控制的世界领先的光学检测技术，以工业智能检测设备为核心产品，最具代表的产品和服务有：三维形貌量测系统 CYPRESS 系列，表面缺陷检测系统 SPRUCE 系列，智能视觉缺陷检测系统 BIRCH 系列，3C 电子行业精密加工玻璃手机外壳检测系统 TOTARA 系列，公司产品已经获得国内多家顶尖先进封装厂商的设备验收及批量订单，填补了国内集成电路先进封装检测设备在高端市场的空白。

中科飞测一直立足于高尖端光学检测设备的研发工作，业务布局包括集成电路及先进封装领域、工业 3C 及泛半导体领域。在集成电路领域，中科飞测已经全面覆盖了先进封装光学检测市场需求，几款半导体前道产品实现了国产设备零的突破，并从2016 年开始陆续进入中芯国际、长江存储等国内大厂；在工业 3C 和泛半导体领域，工业 3D 检测设备进入了蓝思、比亚迪、华为等厂商，柔性 OLED 检测设备也进入了面板厂。

3. 附录：KLA——检测王者，占比过半

3.1. 半导体检测设备王者 KLA 排名全球半导体设备企业第五

近年排名全球前五的半导体设备企业分别为应用材料（Applied Materials，美国）、阿斯麦（ASML，荷兰）、东京电子（Tokyo Electron，日本）、拉姆研究/泛林研究（Lam Research，美国）、科磊半导体（KLA，美国）：

1）从收入和利润角度来看，应用材料、阿斯麦、东京电子和拉姆研究属于第一集团，科磊半导体属于第二集团，且与前四的差距较大，这与公司所处的半导体设备环节较为一致。

2）从毛利率水平来看，科磊半导体毛利率（59.1 及以上）要高于排名前四的半导体设备企业，另外同为半导体检测设备供应商的泰瑞达和爱德万测试的毛利率水平同样较高。

半导体检测量测设备领域，全球主要企业有科磊、应用材料、日本日立、Nano、Nova 等等，根据 2018 年 SEMI 数据，科磊占比过半、稳居行业第一，堪称半导体检测设备领域王者，其次是应用材料和日立的市占率也超过 10，前三市占率合计达到75 。

从具体产品来看，KLA 产品范围广泛，包括了缺陷检测、Overlay、CD 量测，膜厚等，应用材料主要是缺陷检测及复查、CD 量测等，日立主要为 CD-SEM 量测、缺陷检测等。

3.2 科磊是谁？——全球半导体检测设备王者

全球高端测试设备企业多在美国、日本等半导体产业发达国家、且集中度相对较高，国内企业技术差距较为明显：

1）全球前道检测领域前三甲分别为科磊半导体（美国）、应用材料（美国）、日立（日本），根据 Gartner 数据，三者市占率分别约为 52、12、11。国内前道检测领域主要企业有上海睿励、上海精测、中科飞测等，整体规模尚较小。

2）全球高端后端测试设备企业有泰瑞达（美国）、爱德万（日本）等，国内较为领先的测试设备厂商有长川科技、华峰测控、佛山联动等，主要用于分立器件、电源IC 等产品中，与国外高端设备企业同样距离显著。

科磊半导体 KLA-Tencor 于 1976 年成立于美国加州硅谷，是全球光学检测量测之王，产品线丰富，为半导体、数据存储、LED 等纳米电子产业提供工艺控制和良率管理产品，其产品、软件和服务能够满足客户在整个生产制造过程中，从研发到最终量产的检测与量测需求，具体产品应用包括晶片制造、晶圆制造、光罩制造、互补式金属氧化物半导体(CMOS)和图像感应器制造、太阳能制造、LED 制造，资料储存媒体/ 读写头制造、微电子机械系统制造及通用/ 实验室应用等。公司主要客户包括Intel,tsmc,SMIC 等, 销售及服务网络遍及美洲、欧洲及亚洲。

3.3. 科磊为何能占据半导体检测设备的半壁江山？

1、起步：抓住行业痛点，推出计算机视觉，大幅提高效率——股价表现：增收不增利，股价表现不佳

早起由于制造工艺不成熟，半导体生产制造的良率通常会低于 50，生产过程中的检测速度慢、误检率高，导致早起半导体器件的价格昂贵，而且随着半导体不断小型化、复杂化，相关机器检测的需求不断提升。

在此背景下，Ken Levy 和 Bob Anderson 在 1976 年创立了 KLA Instruments—— 一家计算机视觉公司，利用光学技术与软件算法相结合取代工人和低端辅助工具， 1978 年推出第一个产品 KLA RAPID 100，为确保高芯片良率提供了重要的第一步，并将光掩膜检测所需的时间从 8 小时减少到 15 分钟、可以提供比以前更彻底的检测，产品一经推出，就获得了产业的好评。

1984 年公司推出第二个产品 KLA WISARD 2000 系列，是一个自动化晶圆检测系统，可以检测晶圆缺陷和电路错误，同样获得市场的高度认可。

KLA RAPID 100 与 KLA WISARD 2000 系列均属于前道检量测设备，KLA 在 1980 年代末推出了自动测试设备，包括晶圆探测系统和微光显微镜等，前者用于在切割和封装之前对完成的芯片进行电气测试；后者用于发现芯片各层之间的电气“泄漏”。到 1990 年 WISARD、RAPID 和自动测试设备大约各占总收入的三分之一，成为公司的三大支柱产品，从而奠定了 KLA 在检测领域的领先地位。在此阶段，KLA 收入在1986-1990 年分别为 0.825、0.88、1.13、1.61 亿美元，但同期利润并未实现大幅增长，公司股价处于横盘过程。

2、1990-1997 产品升级、从离线到在线——公司股价 10 年 50 倍之旅

1990 年代初期开始，美国本土半导体产业开始复苏，半导体产业越发精细化，对检测设备的性能要求进一步提高，包括检测精度、速度、自动化程度等等，KLA 顺应行业发展趋势产品不断升级，最重要的变化是将原来低效率的离线检测产品（需较长时间等待检测结果）发展到更加快速的在线检测产品（可以实时提供检测结果）：

1）1990 年 10 月，KLA 推出第二代晶圆检测系统 WISARD 2100 系列，缺陷检测的灵敏度更高，更为重要的是 WISARD 2100 系列能够提供在线检测，实时提供检测结果而不用长时间等待、运行速度比第一代的 WISARD 2000 系列快 100 倍以上。

2）1992 年 KLA 推出在线光罩检测系统 RAPID 300 系列——KLA 331，可以提供当时世界上最高的检测灵敏度，至 1993 年 KLA 在全球范围内交付了 700 套 RAPID 系统。

与此同时公司改组了管理层，聘请了 Kenneth L. Schroeder 聘任CEO，1992 年Schroeder 将 KLA 重组为五个运营部门：WRING（包括 WISARD和 RAPID 部门）、自动测试系统部门、Watcher 部门（包含利用先进光学字符识别技术的新图像处理系统）、计量部门和 SEMSpec 部门；并成立了客户服务部门，放弃了微光显微镜业务部门。

在公司不断推出新产品、管理层积极进取的情况下，伴随半导体产业的快速发展， KLA 规模不断提高、继续保持全球领先地位。

3、1997-2008 年——密集并购期，股价横盘

1997 年开始公司开始进入密集并购期，1997 年 5 月以 13 亿美元一对一的股票互换合并 Tencor Instruments, Inc.，新公司命名为KLA-Tencor Corp.二者是同年成立且均生产半导体检测设备，区别在于 KLA 专注于缺陷检测解决方案，而 Tencor 则专注于量测解决方案，二者的合并可以为客户提供完整的半导体良率产品和服务。此后 KLA 便进入了快速并购周期，快速获得大量先进技术，而且不仅局限于检量测领域，公司产品线和服务得以大幅延伸。

随着半导体制程的工艺越来越复杂、晶圆厂的投资成本越来越大，因此对工艺控制水平提出了非常高的要求，因为一旦出错代价将会非常大，这也为半导体检测设备企业带来了更大的机遇。

KLA 作为全球半导体检测领域的龙头，能够为客户在研发阶段、试生产阶段和量产阶段都能够提供相关产品和服务，帮助客户实现利润最大化。

4、2008 年至今深耕中国大陆与中国台湾市场，股价再次腾飞

进入 21 世纪，中国的半导体产业规模不断扩大、在全球占比也进一步提高， KLA-Tencor 准确的判断出中国市场的崛起，1999 年便在中国设立了第一个分公司，目前在在北京、上海、南京、西安、武汉、天津、深圳、大连、厦门、无锡设立了10 处办公室，可以快速响应国内客户的需求。

2008 年至今中国半导体产业快速增长，KLA 来自中国大陆及台湾地区的收入规模得到大幅提高，至 2019 年 KLA 来自中国大陆的收入为 12.16 亿美元，占比达到26.6 ，比重较上年提高了华1西证券版权0所有发送给.万得信息技术7股份有限公司 p18 个百分点，占比近年连续快速提高；2019 年来自中国台湾的收入为 11.06 亿美元，占比为 24.2；也即 2019 年 KLA 来自中国大陆与中国台湾的收入占比超过一半。

……

（报告来源：华西证券）

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半导体工艺实操100答

微电子工艺引论

硅片、芯片的概念

硅片：制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片

芯片：由硅片生产的半导体产品

什么是微电子工业技术？微电子工业技术主要包括哪些技术？

微电子工艺技术：在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术。

包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等

集成电路制造涉及的5个大的制造阶段的内容

集成电路制造阶段：硅片制备、芯片制造、芯片测试/拣选、装配与封装、终测

IC工艺前工序，IC工艺后工序，以及IC工艺辅助工序

IC工艺前工序：

薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发)等

掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术

图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术

IC工艺后工序：划片、封装、测试、老化、筛选

IC工艺辅助工序：超净厂房技术；超纯水、高纯气体制备技术；光刻掩膜版制备技术；材料准备技术

微芯片技术发展的主要趋势

提高芯片性能（速度、功耗）

提高芯片可靠性（低失效）

降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模）

什么是关键尺寸（CD）？

芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸

特别是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD

半导体材料

本征半导体和非本征半导体的区别是什么？

本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）

为何硅被选为最主要的半导体材料？

硅材料：

硅的丰裕度——制造成本低

熔点高(1412OC)——更宽的工艺限度和工作温度范围

SiO2的天然生成

GaAs相对硅的优点和缺点各是什么？

优点：

比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信抗辐射能力强——军事和空间应用电阻率大——器件隔离容易实现发光二极管和激光器

缺点

没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层晶体缺陷比硅高几个数量级成本高

圆片的制备

两种基本的单晶硅生产方法

直拉法（CZ法）、区熔法

晶体缺陷根据维数可分为哪四种？

a) 点缺陷—空位、自填隙等

b) 线缺陷—位错

c) 面缺陷—层错

d) 体缺陷

3. 画出圆片制备的基本工艺步骤流程图，并给出其任意三个步骤的主要作用

晶体生长、整型、切片、磨片倒角、刻蚀、抛光、清洗、检查、包装

磨片和倒角：切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以除去切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦；硅片边缘抛光修整（又叫倒角）可使硅片边缘获得平滑的半径周线

切片：对于200mm的硅片，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的。

对于300mm的硅片，用线锯来切片，厚度一般在775±25微米。

清洗：半导体硅片必须被清洗使得在发送给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态

沾污控制

净化间污染分类净化间沾污、颗粒、金属杂质、有机物沾污、自然氧化层、静电释放（ESD）半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则必须小于最小器件特征尺寸的一半金属污染的主要来源a) 化学溶液b) 半导体制造中的各种工序，如:离子注入c) 化学品与传输管道反应d) 化学品与容器反应超净服的目标

超净服系统的目标是满足以下职能标准:

对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制超净服系统颗粒零释放对ESD的零静电积累无化学和生物残余物的释放 5. 什么是可动离子污染金属杂质以离子形式出现，且是高度活动性危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属。如钠，就是最常见的可移动离子沾污物，而且移动性最强6. 静电释放的概念及带来的问题静电释放（ESD）:也是一种形式的沾污，因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏芯片半导体制造中特别容易产生静电释放，因为硅片加工保持在较低的湿度中静电释放带来的问题：发生在几个纳秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流蒸发金属导线和穿透氧化层击穿栅氧化层的诱因吸附颗粒到硅片表面颗粒越小，静电的吸引作用就越明显器件特征尺寸的缩小，更需要严格控制硅片放电7．芯片生产厂房的7种污染源空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体、生产设备8．硅片表面的颗粒数与工艺步骤数之间的关系图

9、硅片清洗的目标硅片清洗的目标——去除所有表面沾污、颗粒、有机物、金属、自然氧化层工艺腔内的气体控制 1．工艺用气体通常分为哪两类？通用气体：氧气(O2)、氮气(N2)、氢气(H2)、氦气(He)和氩气(Ar)，纯度要控制在7个9（99.99999%）以上特殊气体：指一些工艺气体以及其它在半导体集成电路制造中比较重要的气体，纯度要控制在4个9（99.99%）以上2．常见的初级泵和高级泵常见的两种初级泵：a)干性机械泵b)增压/调压泵：可处理大量气体而不需要润滑剂，增压器通常被称为罗茨增压泵常见的两种高真空泵：a)加速分子泵（涡轮泵）：是一种多用途、可靠的洁净泵，运作机理是机械化的压缩b)冷凝泵：是一种俘获式泵，它通过使气体凝结并俘获在泵中的方式去除工艺腔体中的气体3．质量流量计（MFC）的概念利用气体的热传输特性，直接测量进入腔体的质量流量比率，来控制进入腔体的气流4．残气分析器（RGA）最常用的用途和基本构成用途：用来检验残留在已清空系统中的气体分子的类型、检漏、工艺中的故障查询。基本构成：一个离子发生器、一个孔径、一个分析器和一个探测器。氧化 1．氧化物的两种生产方式热氧化生长、淀积2．氧化层在芯片制造中有哪几方面的应用？保护器件免受划伤和隔离污染限制带电载流子场区隔离（表面钝化）栅氧或储存器单元结构中的介质材料掺杂中的注入掩蔽金属导电层间的介质层】3．表面钝化的概念SiO2可以通过束缚Si的悬挂键，从而降低它的表面态密度，这种效果称为表面钝化。能防止电性能退化，并减少由潮湿、离子或其他外部污染物引起的漏电流的通路。4．关于热氧化的两个化学反应干氧氧化在没有水汽的氛围里进行，化学反应方程式为：Si（固）+O2（气）→SiO2（固）湿氧氧化有水汽参与，氧化反应速率较快，化学反应方程式为：Si（固）+2H2O（水汽）→SiO2（固）+2H2（气）5．氧化物生产初始阶段：O与Si反应，在硅表面生成二氧化硅生成继续氧化：生成的SiO2将阻挡O原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的线性阶段氧化物生长厚度：X=(B/A)t抛物线阶段X=(Bt)1/2X:氧化物生长厚度B/A:为线性速率系数，温度升高系数增大B：抛物线速率系数t：为生长时间掺杂 1. 掺杂的两种方法热扩散:利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构。这种方法受到时间和温度的影响离子注入:a通过高压离子轰击把杂质引入硅片b现代晶片制造中几乎所有掺杂工艺都是使用离子注入2. 列举半导体制造中常用的四种杂质，并说明是N型还是P型。磷N砷N硼P镓P3. 扩散发生需要的两个必要的条件浓度差、过程所必须得能量4. 热扩散的三个步骤，以及它们的作业预淀积:为整个扩散过程建立浓度梯度、炉温一般800~10000C推进：将由预淀积引入的杂质作为扩散源，在高温下进行扩散。目的是为了控制表面浓度和扩散深度1000~12500C激活：稍为升高炉温，使杂质原子与晶格中的硅原子键合5. 离子注入的优缺点离子注入的优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限离子注入的主要缺点：a)高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）b)注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）6. 重要的离子输入参数剂量、射程7. 剂量和能量的公式Q=(It)/(enA)I为束流，单位是库仑每秒（安培）t为注入时间，单位是秒e是电子电荷，等于1.6x10-19库仑n是离子电荷（比如B+等于1）A是注入面积，单位是cm28. 离子输入设备的5个主要子系统离子源、引出电极（吸极）和离子分析器、加速管、扫描系统、工艺室9. 退火的目的是什么？高温退火和RTA哪个更优越退火能够加热被注入硅片，修复晶格缺陷；还能使杂质原子移动到晶格点，将其激活RTA更优越，此方法不会导致杂质的扩散，快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者间取得优化10. 描述沟道效益。控制沟道效益的4种方法当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应4种方法：倾斜硅片、掩蔽氧化层、硅预非晶化、使用质量较大的原子11. 列举10个使用离子注入的掺杂工艺深埋层、倒掺杂阱、穿通阻挡层、阈值电压调整、轻掺杂漏区（LDD）、源漏注入、多晶硅栅、沟槽电容器、超浅结、绝缘体上硅（SOI）光刻 1. 光刻的概念及其本质光刻指的是将图形转移到一个平面的任一复制过程光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上2. 光刻工艺的8个基本步骤气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查3. 光刻胶的概念以及其目的光刻胶的概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化光刻胶的目的a)将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中b)在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）4.光刻胶显影参数显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、清洗、排风、硅片吸盘5.正胶和负胶的显影结果正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，显影后图形与掩模版图形一样负性光刻胶：曝光区域不溶解于显影液，显影后图形与掩模版图形相反6.常用于光学光刻的两种紫外光源汞灯准分子激光7.反射切口、驻波的概念，抗反射涂层的作用反射切口：在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光入射到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口驻波的概念：入射光与反射光发射干涉引起、引起随光刻胶厚度变化的不均匀曝光抗反射涂层的作用：减小光反射和阻止光干涉8.分辨率的概念以及计算

9. 从早期的硅片制造以来光刻设备可分为哪五代？列举任意两种的优越点

接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复光刻机、步进扫描光刻机

接触式光刻机：图像失真小，图形分辨率高

接近式光刻机：掩模版不与光刻胶直接接触，大大减小了沾污

10. 可能成功代替光学光刻技术的4种光刻技术

极紫外（EUV）光刻技术

角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）

离子束投影光刻技术（IPL）

X射线光刻技术

刻蚀

1. 刻蚀的概念及基本目的

刻蚀：用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程

基本目的：在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形

2. 两种基本的刻蚀工艺

干法刻蚀、湿法腐蚀

3. 等离子体的概念

等离子体又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。

4. 选择比的概念

同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。

5. 负载和微负载效益的概念

负载效应：要刻蚀硅片表面的大面积区域，则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来；如果刻蚀的面积比较小，则刻蚀会快些

微负载效应（深宽比相关刻蚀（ARDE））——具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢

6. 干法刻蚀的应用

介质：氧化物和氮化硅

硅：多晶硅栅和单晶硅槽

金属：铝和钨

7. 湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

对材料具有高的选择比

不会对器件带来等离子体损伤

淀积

1. 淀积膜的过程的三个不同阶段

a) 晶核形成，成束的稳定小晶核形成

b) 聚集成束，也称为岛生长

c) 形成连续的膜

2. 化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？

化学气相淀积（CVD）的概念：通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺

高温分解、光分解、还原反应、氧化反应、氧化还原反应

3. CVD中质量传输限制和表面反应控制限制的概念

质量传输限制：

a) CVD反应的速率不可能超过反应气体传输到硅片上的速率

b) 无论温度如何，若传输到硅片表面加速反应的反应气体的量都不足。在此情况下，CVD工艺通常是受质量传输所限制的

表面反应控制限制：

a) 在更低的反应温度和压力下，驱动表面反应的能量更小，表面反应速度会降低

b) 反应物到达表面的速度将超过表面化学反应的速度

c) 这种情况下，淀积速度是受化学反应速度限制的

4. APCVD TEOS-O3方法淀积SiO2的反应方程式；用PECVD制备SiO2反应方程式；LPCVD淀积多晶硅和PECVD淀积氮化硅的化学反应方程式

APCVD TEOS-O3方法：Si(C2H5O4) + 8O3 ——> SiO2 + 10H2O + 8CO2

PECVD：SiH4(气态)+2N2O(气态)——>SiO2 (固态)+2N2(气态)+2H2(气态)

LPCVD:

多晶硅：SiH4 (气态)——>Si(固态)+2H2(气态)

氮化硅：3SiCl2H2(气态)+4NH3(气态) ——>Si3N4(固态)+6HCl(气态)+6H2(气态)

5. HDPCVD工艺的五个步骤

a) 离子诱导淀积：指离子被托出等离子体并淀积形成间隙填充的现象

b) 溅射刻蚀：具有一定能量的Ar和因为硅片偏置被吸引到薄膜的反应离子轰击表面并刻蚀原子

c) 再次淀积：原子从间隙的底部被剥离，通常会再次淀积到侧壁上

d) 热中性 CVD：这对热能驱动的一些淀积反应有很小的贡献；

e) 反射：离子反射出侧壁，然后淀积，是另一种贡献

6. 外延的概念，以及IC制作中一般采用的三种外延方法

外延：在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层

三种外延方法:气相外延（VPE）金属有机CVD（MOCVD）分子束外延（MBE）

7. 介质材料的3个主要用途，其中哪个的发展趋势是高K哪个是低K？

层间介质（ILD）低K

栅氧化层高K

器件隔离

8. 随着特征尺寸的减少，门延迟与互连延迟分别怎么变化？

门延迟降低、互连延迟增大

金属化

1. 金属化，互连，接触，通孔的概念

金属化：

应用化学或物理处理方法在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜

随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程

互连（interconnect）：

由导电材料，如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分

接触（contact）

硅芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接

通孔（via）

穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口

2. 硅芯片制造业中各种金属和金属合金

铝、铝铜合金、铜、阻挡层金属、硅化物、金属填充塞

3. IC互连金属化引入铜的优点

a) 电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电阻率从铝的2.65 mW-cm 减小到铜的1.678 mW-cm ；减少RC的信号延迟，增加芯片速度

b) 功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗

c) 更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层

d) 良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题

e) 更少的工艺步骤：用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤 20％ to 30 %的潜力

4. 自对准金属硅化物的形成工艺剖面图

器件技术简介

1. 无源元件和有源元件分别含哪些？

无源元件：电阻、电容

有源元件：二极管、晶体管

2. 增强型和耗尽型MOSFET的区别

CMOS集成电路制造工艺

1. 亚微米CMOS IC制造厂可分成哪六个独立的生产区

扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺）、光刻、刻蚀、薄膜、离子注入、抛光

2. 以双阱工艺的CMOS反相器为例，CMOS制作的具体步骤，以及前六个步骤的剖面图；或在完整剖面图上表示各个步骤的位置

3. STI工艺的三个步骤及剖面图

槽刻蚀

氧化物填充

氧化物平坦化

硅片测试

1. 各种薄膜厚度的典型测试技术

椭偏仪：非破坏、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明的薄膜

X射线荧光技术：主要用于单层薄膜的测量

光声技术：可用于测量金属薄层

2. 掺杂浓度的典型测量方法

四探针法：最典型的应用是高掺杂浓度

热波系统：可用于监测离子注入剂量浓度

扩展电阻探针（SRP）：用于测量掺杂浓度

电容-电压特性测试：也能用于测量掺杂浓度

二次离子质谱仪（SIMS）：测量掺杂类型以及杂质浓度

3. IC产品的不同电学测试

4. 在线参数测试的目标

鉴别工艺问题:硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定

通过/失效标准：决定硅片是否继续后面的制造程序

数据收集：为改变工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向

特殊测试：在需要的时候评估特殊性能参数

硅片级可靠性：需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试

5. 硅片拣选测试的目标

芯片功能:检验所有芯片功能的操作，确保只有好的芯片被送到装配和封装的下一个IC生产阶段

芯片分类：根据工作速度特性对好的芯片进行分类

生产成品率响应：提供重要的成品率信息，以评估和改善整体制造工艺的能力

测试覆盖率：用最小的成本得到较高的内部器件测试覆盖率

封装

1. 集成电路封装的4个重要功能

a) 保护芯片以免由环境和传递引起损坏

b) 为芯片的信号输入和输出提供互连

c) 芯片的物理支撑

d) 散热

2. 引线键合的概念和三种方法

引线键合：将芯片表面的铝压点和引线框架上或基座上的电极内端进行电连接最常用的方法

三种引线键合的方法：热压键合、超声键合、热超声球键合

3. 先进的集成电路封装设计有哪些？

倒装芯片、球栅阵列（BGA）、板上芯片（COB）、卷带式自动键合（TAB）、多芯片模块（MCM）、芯片尺寸封装（CSP）、圆片级封装

检测设备专题报告：半导体缺陷检测，谁会成为中国的科磊

1. 前道检测设备 vs 测量设备 vs 后道测试设备

2. 国内企业自主研发与并购并举，立志解决卡脖子环节

3. 附录：KLA——检测王者，占比过半

半导体工艺实操100答

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