东芝半导体技术广告东芝半导体全新SiC-MOSFET，强悍性能一睹为快

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

东芝半导体全新SiC-MOSFET，强悍性能一睹为快

今日，东芝在官网发布了最新研发的SiC-MOSFET器件—MG800FXF2YMS3。

据悉，该款新产品采用具有高度安装兼容性的iXPLV（智能软包装低压）封装，满足了轨道车辆逆变器和转换器以及可再生能源发电系统等工业应用对于高效紧凑型设备的需求。

不仅如此，在新开发的SiC-MOSFET模块中采用了SDB芯片，该芯片在采用行业标准封装的同时实现了低寄生电感。

新模块适用于光伏逆变器、工业逆变器、轨道车辆逆变器和转换器等，并通过高速开关和低损耗运行，能够进一步助力工业设备的小型化和轻量化。

新颖的结构设计和独特性能

全新的MG800FXF2YMS3模块采用最新研发的iXPLV封装， 进一步优化工作电路特结构，在这种新封装中引入了两个感应器件，一个用于温度感应的热敏电阻和一个用于电流感应的电感。从而实现模块的温度可以通过安装在iXPLV中的热敏电阻进行自我监控，热敏电阻的最大额定电压为7.1V，最大额定电流为5mA(推荐电流为100μA)，最大额定功率为10mW，工作温度范围为-40℃~ 150℃，最大额定值范围内使用热敏电阻对整个电路系统也能形成一种有效的保护。

同时MG800FXF2YMS3能够在IGBT不能工作的高频电路中驱动高速开关电路，在逆变电路中降低了逆变器系统的材料成本，进一步提高了器件的可靠性并降低维护成本。

同时，为了让大家可以更清晰地理解产品的性能特性，MG800FXF2YMS3在功能测试时随机抽取了市场上友商们生产的产品一同进行测试对比，得出了如下图完美的测试结果：

碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）

可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片，封装本身也必须具备高度的可靠性。东芝通过一种全新的银（Ag）烧结技术进行芯片焊接，来实现有效提高封装可靠性的目标。

在当前的碳化硅封装中，功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化，很难抑制芯片中随着时间的推移而增加的导通电阻。银烧结技术可以显著降低这种退化。而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半，从而使模块中的芯片可以更加紧密地靠近，从而缩小了尺寸。

通过银烧结技术改善提高可靠性[3]

东芝纯碳化硅器件正逐步量产

2021年9月，东芝电子元件（上海）有限公司分立器件应用技术部门高级经理屈兴国在行业展会上接受采访时表示：“东芝的纯碳化硅产品还属于工控产品，目前暂无车载碳化硅产品，不过已经计划车规级纯碳化硅器件。”

同时在产能方面，东芝表示因看好来自EV的需求有望呈现急速扩大，东芝半导体事业子公司「东芝电子元件及储存装置（ToshibaElectronic Devices & Storage）」计划在2023年度将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍、之后计划在2025年度进一步扩增至10倍，目标最迟在2030年度取得全球一成以上市占率。

来源：碳化硅芯观察

东芝半导体与存储创新高，展台再现法宝

在日前举办的“2017慕尼黑上海电子展”上，东芝巨型而醒目的展位前人头攒动。不仅如此，东芝还举办了新闻发布会，介绍了近来东芝的改组情况及展会上的新展品。东芝半导体与存储业务创史上新高

东芝发布会上，东芝电子(中国)公司董事长兼总经理田中基仁介绍称：2016财年(2017年3月)，预计整个东芝营业额超过三千亿日元，成为东芝历史上销售第二高的年份。不过，由于在美国的西屋核电的损失，造成2016年财务资不抵债的风险，下个月，即4月1日，东芝存储器部门将独立出来，成立东芝memory，还是东芝100%控股，在今后的一年内将引入外部资本/寻找外部投资人，但还是以东芝的品牌进行销售。

力推环保理念

此次展示，东芝以环保为主题。东芝的NAND闪存已达64层。这两年加大了车载电子产品的推广，3月在一些媒体上投放了广告。东芝电子中国大力宣传环保理念，打算今年4月在媒体投放广告。田中先生是东芝电子(中国)的负责人，同时也是中国香港公司的董事，在中国已工作9年半。东芝电子(中国)公司十分重视环保，每月有一天员工穿绿色服装，以增强环保意识;把旧的存储卡回收，请艺术家进行创意展示。企业社会责任方面，2012年田中先生到安徽的希望小学进行捐助。

图2 东芝宣传环保理念

东芝横跨多领域的展品

东芝电子(中国)公司副总经理野村尚司介绍了这次展示的产品。

图3 东芝电子(中国)公司副总经理野村尚司

汽车辅助驾驶方面，欧盟最新的相关车规中最大的变化是要求能识别夜晚及低光照照射情况下的行人及车辆。为此，东芝推出Visconti4TM，比Visconti2TM的处理器多一倍，由4个增加到8个，同时加入很多算法和图像硬件加速器。

图4 东芝推出Visconti4

存储产品方面，东芝已推出3D闪存产品BiCS FLASHTM。随着手机存储，2020年闪存容量需求是2016年的4倍，此外，还有对读写速度和低功耗的要求。与普通2D相比，体积更小，因此，也会有成本优势。上月发布了512Gb样品，把16个芯片进行封装，达到1Tb容量，比2015年东芝产品的单位容量增长了65%。闪存可用于手机平板电脑汽车机顶盒等领域。明星产品有：高可靠性的SLC NAND/BENANDTM，支持串行接口(SPI) NAND的解决方案，有车载e·MMC管理型NAND(满足85℃~105℃)，企业级存储产品方案——eSSD和HDD，此外还有闪存控制器及具备新标准接口的SSD。

图5 东芝存储产品

东芝蓝牙组网方案，特点是低功耗，可以组网传到云上，联网协议是自己定义的，电流是3.3mA，这是全世界最低的。另外，蓝牙方面，蓝牙5.0方案将在下半年推出，传输距离提高到3倍。无线充电方面，东芝是全球首批拿到Qi标准15W无线充电方案，该方案可以省去无线接头，有防水的优势。

图6 东芝蓝牙SoC自组网方案

东芝ApP Lite产品把蓝牙和传感器集成于一体，可以做成智能腕带方案，例如动态心电和血压的测量，主要是监测作用，而不是诊断，可以利用脉搏血压等进行综合计算，东芝有特殊算法。值得说明的是，这是消费级产品，不是医疗级产品。

图7 东芝ApP Lite产品

A-SRB是东芝独有技术，使光伏转换效率达96%，而中国一般是93%，原理是把反向尖峰电流化解掉。

图8 东芝A-SRB技术

智能功率模块(IPD)方面，分为MOS管和IGBT两类，一个芯片上最多可集成6个管(如下图)，可用于冰箱压缩机和空调变频器等。

图9 能功率模块IPD

东芝首次展示IEGT。IEGT是把IGBT进行了栅级注入增强技术，同时采用新的压接方式，可以实现两面散热，且可两面串联，陶瓷外壳封装有高防爆性能。例如，采用三电平NPC拓扑，采用4.5KV 1.5KA压接式IEGT，适用于5MW变流器，可用于新能源领域的风力发电。一句话，IEGT可为中国安全的电力输送服务。

图10 东芝首次展示IEGT

东芝还有获奖的64层NAND Flash晶圆，具体产品有工业用、移动终端用、车载用、消费级等。在3D memory方面，东芝将与三星并驾齐驱，2017年预计3D产能占50%，2018年将达90%。由于闪存价格上涨(市场需求大导致)，各闪存厂都加进研发和推出3D等高容量闪存，以满足市场供给，预计未来大容量闪存的供给会加大，同时小容量(8和16G)仍然供货紧张。工控和车载未来也会导入3D闪存，以满足客户对大容量存储的需要。另外，在无线充电部分，东芝展示了15W无线充电方案，还有联想做的无线充电鞋原型产品，据说计步等信息可通过蓝牙传输到手机。