台积电申请光阻组合物及半导体装置的制造方法专利，专利技术可实现半导体装置的制造

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“光阻组合物及半导体装置的制造方法”，公开号CN117423609A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种光阻组合物及半导体装置的制造方法。制造半导体装置的方法包括：形成第一层于基板上，第一层具有有机材料。形成第二层于第一层上，第二层包括含硅聚合物，含硅聚合物具有侧酸基或侧光致产酸剂基。形成第二层包括：形成组合物层于第一层上，组合物层包括硅基聚合物和含酸基或光致产酸剂基的材料。漂浮含酸基或光致产酸剂基的材料于硅基聚合物上。将含酸基或光致产酸剂基的材料与硅基聚合物反应，以形成上第二层覆盖下第二层。上第二层包括硅基聚合物，硅基聚合物具有侧酸基或侧光致产酸剂。下第二层包括硅基聚合物。形成光敏层于第二层上。图案化光敏层。

本文源自金融界

一文读懂不溶性微粒光阻法的工艺流程及优势

不溶性微粒光阻法

不溶性微粒光阻法是一种常用于产品制造过程中的重要技术方法。下面将对其进行深入解析，并衍生一些相关内容使文章更加丰富。

1.不溶性微粒光阻法简介

不溶性微粒光阻法是一种用于半导体行业的制程技术，用于制作微小元件和集成电路。其基本原理是将光阻物质涂覆在基片表面，并使用光刻技术进行曝光和显影，形成所需的模式。

2.不溶性微粒光阻法的工艺流程

（1）基片准备：选择适当材料的基片，并进行表面处理，例如清洗、去除杂质等，确保基片的质量和平整度。

（2）光阻涂覆：将光阻物质均匀涂覆在基片表面，使其形成一层薄膜。这一步是保证后续步骤能够成功进行的重要环节。

（3）曝光：使用光刻机对光阻层进行曝光，根据设计好的光掩膜，通过紫外光照射，形成所需要的模式。

（4）显影：使用化学溶液将未固化的光阻物质从基片表面显影掉，仅保留下被曝光部分的光阻物质。

（5）后续处理：根据具体要求，可以进行清洗、烘烤、蚀刻等后续工艺，以满足产品的要求。

3.不溶性微粒光阻法的优势

（1）成本低廉：相比其他制程方法，不溶性微粒光阻法的设备和材料成本相对较低，适用于大规模生产。

（2）高精度：光阻法制作的产品具有较高的精度和分辨率，能够满足微小元件的要求。

（3）良好的尺寸控制：通过光刻技术可以实现对微细结构的精确定位和控制。

（4）工艺可靠性：不溶性微粒光阻法经过多年的发展和实践，工艺流程相对成熟，能够保证产品质量和稳定性。

4.关于光刻技术的进展

随着科技的进步，光刻技术也在不断发展。近年来，一些新型光刻技术被引入，如多光束光刻、EUV（极紫外）光刻等，这些技术在提升分辨率和增加制程灵活性方面有着显著优势，为产品的制造提供了更多可能性。

5.不溶性微粒光阻法在实际应用中的案例

不溶性微粒光阻法广泛应用于半导体、光电子、平板显示等行业。例如，在半导体制造中，不溶性微粒光阻法可用于制作微处理器、存储芯片等微小元件，使其具有更高的集成度和性能。

总结：不溶性微粒光阻法是一种重要的产品制程技术，通过光刻、显影等步骤，能够制作出高精度的微小元件。其具有成本低廉、高精度和工艺可靠性等优势，在电子行业中得到广泛应用。随着光刻技术的不断进步，相信不溶性微粒光阻法将在未来有更广阔的发展前景。

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