长鑫存储申请半导体专利，可提高第三沟槽的对位精度、简化制造工艺、降低制造成本

金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“，公开号CN117355130A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和绝缘材料层，衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽，绝缘材料层填充各第一沟槽；对基底进行蚀刻，以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，第二方向与第一方向相交；去除位于第二沟槽下方的衬底的部分材料，以在第二沟槽的下方形成第三沟槽，第三沟槽贯通各第二沟槽；在第三沟槽内填充导电材料，以形成位线结构；在第二沟槽内形成字线结构，字线结构与位线结构绝缘设置。本公开的形成方法可提高第三沟槽的对位精度、简化制造工艺、降低制造成本。

本文源自金融界

台积电取得半导体结构专利，实现多个沟槽被液体填充的半导体结构

金融界2024年2月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“的专利，授权公告号CN220510021U，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构，根据本公开的半导体结构包括第一裸晶以及第二裸晶，第一裸晶具有前表面以及后表面，第二裸晶接合到第一裸晶的后表面。第一裸晶包括相邻于后表面的多个沟槽，且多个沟槽被液体填充。

本文源自金融界

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