三星取得紫外半导体发光器件专利，专利技术能实现半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极的制作

金融界2024年3月18日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“紫外半导体发光器件“，授权公告号CN110010734B，申请日期为2018年12月。

专利摘要显示，紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。

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乾照光电取得半导体发光芯片及其制造方法专利，提升半导体发光芯片的效能

金融界2024年4月23日消息，据国家知识产权局公告，厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“半导体发光芯片及其制造方法“，授权公告号CN109037407B，申请日期为2018年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。

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