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半导体芯片技术 半导体芯片封装将迎新格局,玻璃基板技术冉冉升起
发布时间 : 2024-10-05
作者 : 小编
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半导体芯片封装将迎新格局,玻璃基板技术冉冉升起

IT之家 7 月 12 日消息,集邦咨询于 7 月 10 日发布博文,

玻璃基板技术凭借着卓越的性能以及诸多优势,已经成为先进封装领域一颗冉冉升起的新星。

玻璃基板技术

芯片基板是用来固定晶圆切好的裸晶(Die),封装的最后一步的主角,基板上固定的裸晶越多,整个芯片的晶体管数量就越多。

芯片基板材料主要经历了两次迭代,上世纪 70 年代开始使用引线框架,在 90 年代过渡到陶瓷基板,也是目前最常见的有机材料基板。

在封装解决方案中,玻璃基板相比有机基板有更多优势,IT之家简要汇总如下:

卓越的机械、物理和光学特性

芯片上多放置 50% 的 Die

玻璃材料非常平整,可改善光刻的聚焦深度

更好的热稳定性和机械稳定性

玻璃通孔(TGV)之间的间隔能够小于 100 微米,这直接能让晶片之间的互连密度提升 10 倍

玻璃基板的热膨胀系数与晶片更为接近,更高的温度耐受可使变形减少 50%。

玻璃基板技术成为新宠

报道指出英特尔、AMD、三星、LG Innotek 和 SKC 的美国子公司 Absolics 都在高度关注用于先进封装的玻璃基板技术。

英特尔

英特尔公司于 2023 年 9 月,发布了“下一代先进封装玻璃基板技术”,声称它可以彻底改变整个芯片封装领域,英特尔计划利用玻璃基板增加芯片数量,从而减少碳足迹,确保更快、更高效的性能。

图源:Intel

英特尔计划到 2026 年开始大规模生产玻璃基板,并已为此在美国亚利桑那州建立了研究机构。

三星

三星已经委托其三星电机部门启动玻璃基板研发工作,并探索其在人工智能和其他新兴领域的潜在应用案例。

采用玻璃基板封装的三星测试芯片图片。图片来源:SEDaily

三星还将利用不同部门(如显示器部门)的工作成果,确保未来玻璃基板的合作方式。该公司还预计在 2026 年启动大规模生产,并在 2024 年 9 月建成一条试产线。

SK 海力士

SK 海力士通过其美国子公司 Absolics 也踏足该领域。Absolics 已在佐治亚州科文顿投资 3 亿美元开发专用生产设施,并已开始量产原型基板。

SK 海力士计划在 2025 年初开始量产,从而成为最早加入玻璃基板竞争的公司之一。

AMD

AMD 计划在 2025 年至 2026 年间推出玻璃基板,并与全球元件公司合作,以保持其领先地位。据韩国媒体报道,AMD 正在对全球几家主要半导体基板公司的玻璃基板样品进行性能评估测试,打算将这种先进的基板技术引入半导体制造领域。

新供应链将成形

随着 SCHMID 等新公司的出现,以及激光设备供应商、显示屏制造商和化学品供应商的参与,围绕玻璃芯基板,行业正逐步形成一些新的供应链,并打造出一个多元化的生态系统。

自研+生产,芯合半导体碳化硅功率芯片技术达国际先进水平

近日,芯合半导体有限公司在国家信息技术应用创新展示中心举办产品发布会,正式发布企业自主研发生产的SiC SBD、SiC MOSFET两个系列的多款碳化硅功率芯片产品,这是该企业发展历程中的重要里程碑。

本次发布会特邀多家功率半导体应用相关企业、碳化硅芯片领域的专家以及投资方汇聚于此。

此次发布会不仅展示了芯合半导体在碳化硅功率器件领域的专业实力,也为提升品牌知名度迈出了坚实的一步。

赵清总经理在开场致辞中表示,碳化硅作为半导体领域的一款新型材料,因新环境下提出的多元需求,在其卓越性能和优秀品质的基础上,从设计到应用开发的各个环节均面临着前所未有的挑战。在近期中央委员会召开的第三次全体会议之后,结合中国的独特能源结构,碳化硅的产业发展获得了充分肯定。

△芯合半导体总经理 赵清

芯合半导体一直致力于碳化硅功率器件的设计、制造和应用开发,拥有丰富的经验和专业的团队。在发布会上,总经理赵清回顾了公司的发展历程,从8年前进入碳化硅行业,经历了碳化硅晶圆制造从4寸到6寸的变迁过程,积累了宝贵的经验和教训。他对碳化硅产业的发展充满信心,表示芯合半导体将为高端应用功率芯片全产业链国产化提供更好更有价值的服务。

“我对芯合半导体满怀信心,在国产化应用的浪潮中为大家提供更具价值的服务,并衷心期望能与各界携手,共同将碳化硅事业推向更为辉煌的高峰。”芯合半导体总经理赵清说。

此次发布会上,芯合半导体总工程师王敬详细介绍了公司的产品和技术。芯合半导体采用IDM模式,业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试,具有生产周期短、研发迭代快、产能保障、质量可靠,可为客户提供定制化开发等优势。公司在产线规划建设、质量和管理体系认证、专有技术开发等方面也取得了显著进展,拥有自主知识产权,技术团队实力雄厚。

△芯合半导体总工程师 王敬

在产品发布环节,芯合半导体总工程师王敬展示了多款碳化硅产品,包括SiC MOSFET 1200V 13mΩ\17mΩ\28mΩ\40mΩ\80mΩ及SBD系列产品。这些芯片产品无论是从阈值电压、导通电阻、击穿电压、产品良率,还是产品的高温性能来看,均已达到国际领先水准。

王敬特别强调了芯合半导体对所有产品从静态到动态的全方位测试,通过极为严苛的测试条件,有力地保障了新产品的高可靠性。此外,公司完善的信息化建设和严格的品控标准也获得了参会嘉宾的一致认可。

在座谈交流环节,各企业代表纷纷发言,对芯合半导体的产品表示关注和认可,未来碳化硅等新型半导体将会成为市场的增量,并具有广阔的发展前景。

此次发布会的成功举办,展示了芯合半导体在碳化硅领域的技术实力和创新能力,也为行业发展注入了新的活力。芯合半导体将继续努力,不断提升产品质量和性能,加强与各方的合作,共同推动碳化硅事业的发展。

相信在未来,芯合半导体将在全球半导体市场中崭露头角,为客户提供更加优质的产品和服务,成为行业的领军品牌。

关于芯合半导体

专注于功率半导体器件产品的设计、生产和销售。公司主要产品为SiC MOSFET/SiC SBD。

芯合半导体齐聚了一支技术和产业化经验丰富的核心团队,秉承“极致、和谐、坚持”的企业文化,深耕功率半导体,重点致力于开发碳化硅分立器件和功率模块及应用,为实现高功率密度电能转换系统的高效率、小型化和轻量化提供完整的半导体解决方案。

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